Transistor de canal N, 36A, 50A, 500uA, 30 milliOhms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V - PSMN035-150P

Transistor de canal N, 36A, 50A, 500uA, 30 milliOhms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V - PSMN035-150P. Transistor de canal N, 36A, 50A, 500uA, 30 milliOhms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V. DI (T=100°C): 36A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 30 milliOhms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). Voltaje Vds(máx.): 150V. C(pulg): 4720pF. Costo): 456pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 118 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 200A. IDss (mín.): 0.05uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. RoHS: sí. Spec info: IDM 200A (Tmb 25°C; pulsed). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 79 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: transistor de efecto de campo en modo de mejora . Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante Philips Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 05/07/2025, 04:25.