Transistor de canal N, 10A, 12A, 50uA, 0.20 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - RFP12N10L

Transistor de canal N, 10A, 12A, 50uA, 0.20 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - RFP12N10L. Transistor de canal N, 10A, 12A, 50uA, 0.20 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.20 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 900pF. Costo): 325pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 30A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: F12N10L. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. RoHS: sí. Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: MegaFET process, Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+155°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 10V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 05/07/2025, 04:25.