Transistor de canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 300V - RJH30H2DPK-M0

Transistor de canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 300V - RJH30H2DPK-M0. Transistor de canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 300V. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PSG. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. C(pulg): 1200pF. Costo): 80pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 23 ns. Compatibilidad: Samsung PS42C450B1WXXU. Función: Conmutación de energía de alta velocidad. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 35A. Ic (pulso): 250A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. RoHS: sí. Spec info: trr 0.06us. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 0.06 ns. Td(encendido): 0.02 ns. Tecnología: Trench gate and thin wafer technology G6H-II ser. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.4V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.9V. Tensión puerta/emisor VGE: 30 v. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5V. Producto original del fabricante Renesas Technology. Cantidad en stock actualizada el 05/07/2025, 01:25.