Transistor de canal N, 10A, 10A, 0.0125 Ohms, SO, SO-8, 30 v - RSS100N03

Transistor de canal N, 10A, 10A, 0.0125 Ohms, SO, SO-8, 30 v - RSS100N03. Transistor de canal N, 10A, 10A, 0.0125 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0125 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: MOSFET de canal N de unidad de 4 V. Cantidad por caja: 1. Cantidad en stock actualizada el 24/04/2025, 00:25.