Transistor de canal N, 30A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V - SGH30N60RUFD

Transistor de canal N, 30A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V - SGH30N60RUFD. Transistor de canal N, 30A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 1970pF. Costo): 310pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Función: IGBT de alta velocidad. Corriente del colector: 48A. Ic (pulso): 90A. Marcado en la caja: G30N60RUFD. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 235W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 54 ns. Td(encendido): 30 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.2V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5V. Spec info: Ic 48A @ 25°C, 30A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 24/04/2025, 00:25.