Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.18€ | 1.43€ |
5 - 9 | 1.13€ | 1.37€ |
10 - 24 | 1.07€ | 1.29€ |
25 - 49 | 1.01€ | 1.22€ |
50 - 99 | 0.98€ | 1.19€ |
100 - 249 | 0.60€ | 0.73€ |
250 - 2089 | 0.57€ | 0.69€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.18€ | 1.43€ |
5 - 9 | 1.13€ | 1.37€ |
10 - 24 | 1.07€ | 1.29€ |
25 - 49 | 1.01€ | 1.22€ |
50 - 99 | 0.98€ | 1.19€ |
100 - 249 | 0.60€ | 0.73€ |
250 - 2089 | 0.57€ | 0.69€ |
Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 30 v, 3.6A - SI2304DDS-T1-GE3. Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 30 v, 3.6A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.6A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: P4. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.2A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 75 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 235pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.7W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Cantidad en stock actualizada el 24/04/2025, 00:25.
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