Transistor de canal N, 30V, SOT23 - SI2306BDS-T1-E3

Transistor de canal N, 30V, SOT23 - SI2306BDS-T1-E3. Transistor de canal N, 30V, SOT23. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 30V. Vivienda: SOT23. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Serie: TrenchFET. Polaridad: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 4A. Rds on (max) @ id, VGS: componente montado en superficie (SMD). VGS (th) (max) @ id: 3. QG (Total Gate Charge, max @ vgs): L6. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.25W. Temperatura de funcionamiento: 0.057 Ohms @ 2.8A. Tipo de montaje: SMD. Características: 25 ns. Información: 305pF. MSL: 0.8W. Producto original del fabricante Vishay (siliconix). Cantidad en stock actualizada el 05/07/2025, 04:25.