Transistor de canal N, 5.2A, 6.2A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V - SI4480EY

Transistor de canal N, 5.2A, 6.2A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V - SI4480EY. Transistor de canal N, 5.2A, 6.2A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. DI (T=100°C): 5.2A. DI (T=25°C): 6.2A. Idss (máx.): 20uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.026 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 80V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Power MOSFET. Identificación (diablillo): 40Ap. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 3W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 52 ns. Td(encendido): 12.5 ns. Tecnología: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 24/04/2025, 00:25.