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Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, MS-012, 30V/-30V, 3.7A/-3A - SI4532ADY-T1-E3

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, MS-012, 30V/-30V, 3.7A/-3A - SI4532ADY-T1-E3
Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 4 1.43€ 1.73€
5 - 9 1.36€ 1.65€
10 - 24 1.29€ 1.56€
25 - 49 1.01€ 1.22€
50 - 99 0.99€ 1.20€
100 - 249 0.96€ 1.16€
250 - 1849 0.92€ 1.11€
Cantidad U.P
1 - 4 1.43€ 1.73€
5 - 9 1.36€ 1.65€
10 - 24 1.29€ 1.56€
25 - 49 1.01€ 1.22€
50 - 99 0.99€ 1.20€
100 - 249 0.96€ 1.16€
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Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, MS-012, 30V/-30V, 3.7A/-3A - SI4532ADY-T1-E3. Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, MS-012, 30V/-30V, 3.7A/-3A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): MS-012. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.7A/-3A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: SI4532ADY-T1-E3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.053 Ohms/0.08 Ohms @ 4.9/-3.9A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns/8 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23/21 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 500pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.13W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Cantidad en stock actualizada el 24/04/2025, 00:25.

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