Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 5.2A/-3.4A - SI4532CDY-T1-GE3

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 5.2A/-3.4A - SI4532CDY-T1-GE3. Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 5.2A/-3.4A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A/-3.4A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: SI4532CDY-T1-E3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms/0.14 Ohms @ 5.2/-3.4A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns/10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 25/30 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 305/340pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.14W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Cantidad en stock actualizada el 24/04/2025, 00:25.