Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.34€ | 1.62€ |
5 - 9 | 1.27€ | 1.54€ |
10 - 24 | 1.21€ | 1.46€ |
25 - 49 | 0.89€ | 1.08€ |
50 - 99 | 0.86€ | 1.04€ |
100 - 147 | 0.84€ | 1.02€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.34€ | 1.62€ |
5 - 9 | 1.27€ | 1.54€ |
10 - 24 | 1.21€ | 1.46€ |
25 - 49 | 0.89€ | 1.08€ |
50 - 99 | 0.86€ | 1.04€ |
100 - 147 | 0.84€ | 1.02€ |
Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, MS-012, 60V/-60V, 4.5A/-3.1A - SI4559EY-E3. Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, MS-012, 60V/-60V, 4.5A/-3.1A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): MS-012. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V/-60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A/-3.1A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: SI4559EY. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms/0.075 Ohms @ 4.5/-3.9A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 13 ns/8 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 36/12ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1000pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.4W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Cantidad en stock actualizada el 24/04/2025, 00:25.
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