Transistor de canal N SI4800BDY-T1-E3, 5A, 6.5A, 5uA, 0.0155 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 5uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0155 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Cantidad por caja: 1. Función: Conmutación rápida, MOSFET de potencia. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 40Ap. Marcado en la caja: 4800B. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Td(apagado): 32 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: TrenchFET ® Power MOSFET Reduced Qg. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 1.8V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30