Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 2.57€ | 3.11€ |
5 - 9 | 2.44€ | 2.95€ |
10 - 24 | 2.31€ | 2.80€ |
25 - 49 | 1.61€ | 1.95€ |
50 - 99 | 1.58€ | 1.91€ |
100 - 249 | 1.54€ | 1.86€ |
250 - 7498 | 1.46€ | 1.77€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.57€ | 3.11€ |
5 - 9 | 2.44€ | 2.95€ |
10 - 24 | 2.31€ | 2.80€ |
25 - 49 | 1.61€ | 1.95€ |
50 - 99 | 1.58€ | 1.91€ |
100 - 249 | 1.54€ | 1.86€ |
250 - 7498 | 1.46€ | 1.77€ |
Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, MS-012, 60V, 5.5A - SI4946BEY-T1-E3. Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, MS-012, 60V, 5.5A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): MS-012. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 30 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 30 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 840pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.6W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0,052 ohmios a 4,7 A. Marcado del fabricante: SI4946BEY-T1-E3. Cantidad en stock actualizada el 24/04/2025, 00:25.
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