Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.78€ | 2.15€ |
5 - 9 | 1.69€ | 2.04€ |
10 - 24 | 1.60€ | 1.94€ |
25 - 49 | 1.51€ | 1.83€ |
50 - 99 | 1.23€ | 1.49€ |
100 - 249 | 1.20€ | 1.45€ |
250 - 378 | 1.14€ | 1.38€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.78€ | 2.15€ |
5 - 9 | 1.69€ | 2.04€ |
10 - 24 | 1.60€ | 1.94€ |
25 - 49 | 1.51€ | 1.83€ |
50 - 99 | 1.23€ | 1.49€ |
100 - 249 | 1.20€ | 1.45€ |
250 - 378 | 1.14€ | 1.38€ |
Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, MS-012, 60V, 4.5A - SI4946EY-T1-E3. Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, MS-012, 60V, 4.5A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): MS-012. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: SI4946EY-T1-E3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 4.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 60 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1000pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.4W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Cantidad en stock actualizada el 24/04/2025, 00:25.
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