Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, TO-263AB, 30 v, 6.2A - SI9410BDY-E3

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, TO-263AB, 30 v, 6.2A - SI9410BDY-E3. Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, TO-263AB, 30 v, 6.2A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): TO-263AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.2A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: SI9410BDY-E3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 8.1A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 15 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 45 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1000pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Cantidad en stock actualizada el 24/04/2025, 00:25.