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Transistor de canal N, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v - SIR474DP

Transistor de canal N, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v - SIR474DP
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Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 4 2.03€ 2.46€
5 - 9 1.93€ 2.34€
10 - 24 1.83€ 2.21€
25 - 49 1.73€ 2.09€
50 - 89 1.69€ 2.04€
Cantidad U.P
1 - 4 2.03€ 2.46€
5 - 9 1.93€ 2.34€
10 - 24 1.83€ 2.21€
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Transistor de canal N, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v - SIR474DP. Transistor de canal N, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 15A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0075 Ohms. Vivienda: PowerPAK SO-8. Vivienda (según ficha técnica): PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 985pF. Costo): 205pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 14 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Interruptor del lado alto . Identificación (diablillo): 50A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 196k Ohms. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 29.8W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 19 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: TrenchFET ® Power MOSFET, (D-S) MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 24/04/2025, 00:25.

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