Transistor de canal N, 90A, Otro, Otro, 600V - SKM100GAR123D

Transistor de canal N, 90A, Otro, Otro, 600V - SKM100GAR123D. Transistor de canal N, 90A, Otro, Otro, 600V. Ic(T=100°C): 90A. Vivienda: Otro. Vivienda (según ficha técnica): Otro. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 5000pF. Costo): 720pF. Tipo de canal: N. Función: IGBT de alta potencia. Corriente del colector: 100A. Ic (pulso): 150A. Número de terminales: 7. RoHS: sí. Td(apagado): 450 ns. Td(encendido): 30 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.3V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V. Nota: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 24/04/2025, 00:25.