Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.

Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - SPA08N80C3

Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - SPA08N80C3
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 4 3.69€ 4.46€
5 - 9 3.51€ 4.25€
10 - 24 3.32€ 4.02€
25 - 44 3.14€ 3.80€
Cantidad U.P
1 - 4 3.69€ 4.46€
5 - 9 3.51€ 4.25€
10 - 24 3.32€ 4.02€
25 - 44 3.14€ 3.80€
¡Entrega en 2-3 días, con seguimiento postal!
Cantidad en inventario : 44
Conjunto de 1

Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - SPA08N80C3. Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.56 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1100pF. Costo): 46pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Capacidad de corriente pico alto con clasificación dv/dt extrema . Identificación (diablillo): 24A. IDss (mín.): 20uA. Marcado en la caja: 08N60C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 72 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: Cool Mos POWER trafnsistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: Paquete completamente aislado (2500 VCA/1 minuto). Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 24/04/2025, 05:25.

Productos equivalentes :

Cantidad en inventario : 322
SPA11N80C3

SPA11N80C3

Transistor de canal N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. DI (T=100°C): 7.1...
SPA11N80C3
Transistor de canal N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.39 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP-3-1. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1600pF. Costo): 800pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Capacitancia efectiva ultrabaja con clasificación dv/dt extrema . Identificación (diablillo): 33A. IDss (mín.): 0.5uA. Marcado en la caja: 11N80C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 41W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 72 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: Paquete completamente aislado (2500 VCA/1 minuto). Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
SPA11N80C3
Transistor de canal N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.39 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP-3-1. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1600pF. Costo): 800pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Capacitancia efectiva ultrabaja con clasificación dv/dt extrema . Identificación (diablillo): 33A. IDss (mín.): 0.5uA. Marcado en la caja: 11N80C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 41W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 72 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: Paquete completamente aislado (2500 VCA/1 minuto). Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
Conjunto de 1
5.03€ IVA incl.
(4.16€ sin IVA)
5.03€
Cantidad en inventario : 704
FQPF8N80C

FQPF8N80C

Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. DI (T=100°C): 5.1A. DI ...
FQPF8N80C
Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.29 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1580pF. Costo): 135pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 690 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Fecha de producción: 201432. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 59W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 65 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Protección G-S: NINCS
FQPF8N80C
Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.29 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1580pF. Costo): 135pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 690 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Fecha de producción: 201432. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 59W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 65 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Protección G-S: NINCS
Conjunto de 1
2.63€ IVA incl.
(2.17€ sin IVA)
2.63€

También recomendamos :

Cantidad en inventario : 1394
1-5KE18CA

1-5KE18CA

Ubr [V] a Ibr [A]: 18V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 18.9V @ 1mA. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ U...
1-5KE18CA
[LONGDESCRIPTION]
1-5KE18CA
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.64€ IVA incl.
(0.53€ sin IVA)
0.64€
Cantidad en inventario : 126
TNY277PN

TNY277PN

RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (...
TNY277PN
[LONGDESCRIPTION]
TNY277PN
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
2.80€ IVA incl.
(2.31€ sin IVA)
2.80€
Cantidad en inventario : 25
COIL-7652

COIL-7652

Nota: CKT4442B. Nota: PC04X...
COIL-7652
[LONGDESCRIPTION]
COIL-7652
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
1.40€ IVA incl.
(1.16€ sin IVA)
1.40€
En ruptura de stock
DSC477M025S1ACH12K

DSC477M025S1ACH12K

Voltaje CC: 25V. Capacitancia: 470uF. Diámetro: 10mm. Vida útil: 2000 horas. Longitud: 12mm. Imped...
DSC477M025S1ACH12K
[LONGDESCRIPTION]
DSC477M025S1ACH12K
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.33€ IVA incl.
(0.27€ sin IVA)
0.33€
Cantidad en inventario : 18
FQPF8N60C

FQPF8N60C

Transistor de canal N, soldadura de PCB, ITO-220, 600V, 7.6A, TO-220FP, TO-220F, 600V, 1. Vivienda: ...
FQPF8N60C
[LONGDESCRIPTION]
FQPF8N60C
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
6.91€ IVA incl.
(5.71€ sin IVA)
6.91€
Cantidad en inventario : 21
PPE-TIN2-E040G

PPE-TIN2-E040G

Diámetro: 28...45um. Eutéctico: sí. Punto de solidificación (°C): +217°C. Punto de fusión (°...
PPE-TIN2-E040G
[LONGDESCRIPTION]
PPE-TIN2-E040G
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
30.63€ IVA incl.
(25.31€ sin IVA)
30.63€

Información y ayuda técnica.

Por telefono :

Pago y entrega

¡Entrega en 2-3 días, con seguimiento postal!

Suscríbete al boletín

Acepto recibir correos electrónicos y entiendo que puedo cancelar mi suscripción en cualquier momento después de suscribirme..

Todos los derechos reservados, RPtronics, 2024.