Transistor de canal N SPA08N80C3, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.56 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1100pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 46pF. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Función: Capacidad de corriente pico alto con clasificación dv/dt extrema. IDss (mín.): 20uA. Identificación (diablillo): 24A. Marcado en la caja: 08N60C3. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: Paquete completamente aislado (2500 VCA/1 minuto). Td(apagado): 72 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: Cool Mos POWER trafnsistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30