Transistor de canal N SPB80N04S2-H4, 80A, 1uA, 3.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.4M Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 4480pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 1580pF. Diodo Trr (Mín.): 195 ns. Función: Modo de mejora. IDss (mín.): 0.01uA. Identificación (diablillo): 320A. Marcado en la caja: 2N04H4. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 46 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: transistor MOSFET de potencia. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2.1V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30