Transistor de canal N SPP11N60C3, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.34 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 1200pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 390pF. Diodo Trr (Mín.): 400 ns. Función: Capacidad de corriente pico alto con clasificación dv/dt extrema. IDss (mín.): 0.1uA. Identificación (diablillo): 33A. Marcado en la caja: 11N60C3. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 44 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Cool Mos POWER trafnsistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 05:54