Transistor de canal N SPP11N60S5, 7A, 11A, 250uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 600V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.34 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220-3-1. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1460pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 610pF. Diodo Trr (Mín.): 650ms. Función: Carga de puerta ultrabaja con clasificación dv/dt extrema. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 22A. Marcado en la caja: 11N60S5. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 150 ns. Td(encendido): 130 ns. Tecnología: Cool Mos POWER transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 3.5V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 05:54