Transistor de canal N SPP11N80C3, 7.1A, 11A, 11A, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 11A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.39 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 800V. Cantidad por caja: 1. Función: ID pulse 33A. Identificación (diablillo): 33A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 156W. Tecnología: Cool Mos. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 05:54