Transistor de canal N SPW11N80C3, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.39 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1600pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 800pF. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Función: Carga de puerta ultrabaja con clasificación dv/dt extrema. IDss (mín.): 0.5uA. Identificación (diablillo): 33A. Marcado en la caja: 11N80C3. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 156W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 72 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: Cool Mos. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 05:54