Transistor de canal N SPP20N60S5, TO-220, 600V, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, 650V. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 600V. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.16 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 3000pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3000pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Costo): 1170pF. Diodo Trr (Mín.): 610 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 208W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 13A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 20A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Función: Carga de puerta ultrabaja con clasificación dv/dt extrema. IDss (mín.): 0.5uA. Identificación (diablillo): 40A. Marcado del fabricante: 20N60S5. Marcado en la caja: 20N60S5. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 208W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 210 ns. RoHS: sí. Td(apagado): 140 ns. Td(encendido): 120ns. Tecnología: Cool Mos. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5.5V. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 120ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 4.5V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 05:54