Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 650V - SPU04N60C3

Transistor de canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 650V - SPU04N60C3
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1 - 4 4.25€ 5.14€
5 - 9 4.04€ 4.89€
10 - 24 3.83€ 4.63€
25 - 49 3.61€ 4.37€
50 - 99 3.53€ 4.27€
100+ 3.32€ 4.02€
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Transistor de canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 650V - SPU04N60C3. Transistor de canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 650V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.85 Ohms. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 490pF. Costo): 160pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Identificación (diablillo): 13.5A. IDss (mín.): 0.5uA. Marcado en la caja: 04N60C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 58.5 ns. Td(encendido): 6 ns. Tecnología: Cool Mos. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 24/04/2025, 05:25.

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SPP04N60C3

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Transistor de canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 85m Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 650V. DI (T=100°C): 2.8A. DI...
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Transistor de canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 85m Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 650V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 85m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220-3-1. Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 490pF. Costo): 160pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Identificación (diablillo): 13.5A. IDss (mín.): 0.5uA. Marcado en la caja: 04N60C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 58.5 ns. Td(encendido): 6 ns. Tecnología: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: Capacidad excepcional de dv/dt. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
SPP04N60C3
Transistor de canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 85m Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 650V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 85m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220-3-1. Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 490pF. Costo): 160pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Identificación (diablillo): 13.5A. IDss (mín.): 0.5uA. Marcado en la caja: 04N60C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 58.5 ns. Td(encendido): 6 ns. Tecnología: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: Capacidad excepcional de dv/dt. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
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SPA04N60C3

SPA04N60C3

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SPA04N60C3
Transistor de canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 650V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.95 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP-3-1. Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 490pF. Costo): 160pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Identificación (diablillo): 13.5A. IDss (mín.): 0.5uA. Marcado en la caja: 04N60C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 31W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 58.5 ns. Td(encendido): 6 ns. Tecnología: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Nota: Paquete completamente aislado (2500 VCA/1 minuto). Spec info: Capacidad excepcional de dv/dt. Protección G-S: NINCS
SPA04N60C3
Transistor de canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 650V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.95 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP-3-1. Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 490pF. Costo): 160pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Identificación (diablillo): 13.5A. IDss (mín.): 0.5uA. Marcado en la caja: 04N60C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 31W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 58.5 ns. Td(encendido): 6 ns. Tecnología: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Nota: Paquete completamente aislado (2500 VCA/1 minuto). Spec info: Capacidad excepcional de dv/dt. Protección G-S: NINCS
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