Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor de canal N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-247, TO-247, 800V - SPW11N80C3

Transistor de canal N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-247, TO-247, 800V - SPW11N80C3
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2 - 2 5.77€ 6.98€
3 - 4 5.47€ 6.62€
5 - 7 5.16€ 6.24€
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Transistor de canal N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-247, TO-247, 800V - SPW11N80C3. Transistor de canal N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.39 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1600pF. Costo): 800pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Carga de puerta ultrabaja con clasificación dv/dt extrema . Identificación (diablillo): 33A. IDss (mín.): 0.5uA. Marcado en la caja: 11N80C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 156W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 72 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: Cool Mos. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 24/04/2025, 05:25.

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