Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.18€ | 1.43€ |
5 - 9 | 1.13€ | 1.37€ |
10 - 24 | 1.07€ | 1.29€ |
25 - 49 | 1.01€ | 1.22€ |
50 - 99 | 0.98€ | 1.19€ |
100 - 249 | 0.70€ | 0.85€ |
250 - 5853 | 0.66€ | 0.80€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.18€ | 1.43€ |
5 - 9 | 1.13€ | 1.37€ |
10 - 24 | 1.07€ | 1.29€ |
25 - 49 | 1.01€ | 1.22€ |
50 - 99 | 0.98€ | 1.19€ |
100 - 249 | 0.70€ | 0.85€ |
250 - 5853 | 0.66€ | 0.80€ |
Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, MS-012, 30 v, 8A - SQ2348ES-T1_GE3. Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, MS-012, 30 v, 8A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): MS-012. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ 8A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 7 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 32 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 540pF. Disipación máxima Ptot [W]: 3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Cantidad en stock actualizada el 24/04/2025, 06:25.
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