Transistor de canal N STD10NM60N, 5A, 10A, 100uA, 0.53 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 650V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.53 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 540pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 44pF. Diodo Trr (Mín.): 315 ns. Función: Capacitancia efectiva ultrabaja con clasificación dv/dt extrema. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 32A. Marcado en la caja: 10NM60N. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 32 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Cool Mos POWER transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 05:54