transistor de canal N TK7P60W, 7A, 10uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V

transistor de canal N TK7P60W, 7A, 10uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V

Cantidad
Precio unitario
1-4
3.19€
5-24
2.77€
25-49
2.51€
50+
2.27€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 1878

Transistor de canal N TK7P60W, 7A, 10uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.50 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 470pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 13pF. Diodo Trr (Mín.): 230 ns. Función: para reguladores de voltaje de modo de conmutación. Identificación (diablillo): 28A. Marcado en la caja: TK7P60W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: MOSFET (DTMOSIV). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.7V. Vgs(th) mín.: 2.7V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:08

TK7P60W
29 parámetros
DI (T=25°C)
7A
Idss (máx.)
10uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.50 Ohms
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaje Vds(máx.)
600V
C(pulg)
470pF
Cantidad por caja
1
Costo)
13pF
Diodo Trr (Mín.)
230 ns
Función
para reguladores de voltaje de modo de conmutación
Identificación (diablillo)
28A
Marcado en la caja
TK7P60W
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
70W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo
RoHS
Td(apagado)
55 ns
Td(encendido)
40 ns
Tecnología
MOSFET (DTMOSIV)
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
3.7V
Vgs(th) mín.
2.7V
Producto original del fabricante
Toshiba

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