Transistor de canal N, 2.77A, 4.4A, 50uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V - STD5N52K3

Transistor de canal N, 2.77A, 4.4A, 50uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V - STD5N52K3. Transistor de canal N, 2.77A, 4.4A, 50uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V. DI (T=100°C): 2.77A. DI (T=25°C): 4.4A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252-3. Voltaje Vds(máx.): 525V. C(pulg): 545pF. Costo): 45pF. Tipo de canal: N. Número de canales: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 240 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Aplicaciones de conmutación, carga de puerta minimizada, IDSS bajo. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 17.6A. IDss (mín.): 5uA. Marcado en la caja: 5N52K3. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Spec info: Enhancement type. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 29 ns. Td(encendido): 9 ns. Tecnología: SuperMESH3™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30V. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 04/07/2025, 13:25.