Transistor de canal N, 2.8A, 4.4A, 500uA, 1.25 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V - STD5N52U

Transistor de canal N, 2.8A, 4.4A, 500uA, 1.25 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V - STD5N52U. Transistor de canal N, 2.8A, 4.4A, 500uA, 1.25 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.4A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.25 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252-3. Voltaje Vds(máx.): 525V. C(pulg): 529pF. Costo): 71pF. Tipo de canal: N. Número de canales: 1. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 17.6A. IDss (mín.): 10uA. Marcado en la caja: 5N52U. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 23.1 ns. Td(encendido): 11.4 ns. Tecnología: UltraFASTmesh™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30V. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Función: Aplicaciones de conmutación, carga de puerta minimizada. Spec info: Enhancement type. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí. Cantidad en stock actualizada el 24/04/2025, 05:25.