Transistor de canal N STF18NM60N, 8.2A, 13A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 8.2A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.26 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1000pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 60pF. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Función: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 52A. Marcado en la caja: 18NM60. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 05:54