Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V - STP11NB40FP

Transistor de canal N, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V - STP11NB40FP
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Transistor de canal N, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V - STP11NB40FP. Transistor de canal N, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V. DI (T=100°C): 3.8A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.48 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 400V. C(pulg): 1250pF. Costo): 210pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 42.8A. IDss (mín.): 1uA. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 10 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: PowerMESH MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Nota: Viso 2000VDC. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 24/04/2025, 08:25.

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IRFI740GLC

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Transistor de canal N, 3.6A, 5.7A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V. DI (T=100°C): 3.6A. D...
IRFI740GLC
Transistor de canal N, 3.6A, 5.7A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V. DI (T=100°C): 3.6A. DI (T=25°C): 5.7A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.55 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 400V. C(pulg): 1100pF. Costo): 190pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 380 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra Low Gate Charge. Identificación (diablillo): 23A. IDss (mín.): 25uA. Nota: Viso 2500V. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
IRFI740GLC
Transistor de canal N, 3.6A, 5.7A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V. DI (T=100°C): 3.6A. DI (T=25°C): 5.7A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.55 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 400V. C(pulg): 1100pF. Costo): 190pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 380 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra Low Gate Charge. Identificación (diablillo): 23A. IDss (mín.): 25uA. Nota: Viso 2500V. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
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FQPF8N60C

FQPF8N60C

Transistor de canal N, soldadura de PCB, ITO-220, 600V, 7.6A, TO-220FP, TO-220F, 600V, 1. Vivienda: ...
FQPF8N60C
Transistor de canal N, soldadura de PCB, ITO-220, 600V, 7.6A, TO-220FP, TO-220F, 600V, 1. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: ITO-220. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.6A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. Vivienda (norma JEDEC): 1. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FQPF8N60C. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.75A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 45 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 170 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1255pF. Disipación máxima Ptot [W]: 48W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 81 ns. Td(encendido): 16.5 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
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IRFS740
Transistor de canal N, 3.9A, 5.5A, 1000uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 5.5A. Idss (máx.): 1000uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.55 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 400V. C(pulg): 1500pF. Costo): 178pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 370 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 40A. IDss (mín.): 250uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS
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