Transistor de canal N, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - STP11NM60

Transistor de canal N, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - STP11NM60. Transistor de canal N, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1000pF. Costo): 230pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 390 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 44A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 6 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: MDmesh Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 04/07/2025, 15:25.