Transistor de canal N STP11NM60ND, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 6.3A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.37 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 850pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 44pF. Diodo Trr (Mín.): 130 ns. Función: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 40A. Marcado en la caja: 11NM60ND. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: MDmesh II POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:24