Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.

Transistor de canal N, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 550V - STP12NM50FP

Transistor de canal N, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 550V - STP12NM50FP
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 4 3.89€ 4.71€
5 - 9 3.70€ 4.48€
10 - 23 3.50€ 4.24€
Cantidad U.P
1 - 4 3.89€ 4.71€
5 - 9 3.70€ 4.48€
10 - 23 3.50€ 4.24€
¡Entrega en 2-3 días, con seguimiento postal!
Cantidad en inventario : 23
Conjunto de 1

Transistor de canal N, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 550V - STP12NM50FP. Transistor de canal N, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 550V. DI (T=100°C): 7.5A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.3 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 550V. C(pulg): 1000pF. Costo): 250pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 270 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 48A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P12NM50FP. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: MDmesh Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Función: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 24/04/2025, 08:25.

Información y ayuda técnica.

Por telefono :

Pago y entrega

¡Entrega en 2-3 días, con seguimiento postal!

Suscríbete al boletín

Acepto recibir correos electrónicos y entiendo que puedo cancelar mi suscripción en cualquier momento después de suscribirme..

Todos los derechos reservados, RPtronics, 2024.