Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220, 60V - STP16NF06L

Transistor de canal N, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220, 60V - STP16NF06L
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1 - 4 0.93€ 1.13€
5 - 9 0.88€ 1.06€
10 - 24 0.84€ 1.02€
25 - 49 0.79€ 0.96€
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Transistor de canal N, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220, 60V - STP16NF06L. Transistor de canal N, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.08 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 345pF. Costo): 72pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 64A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: Low Gate Charge. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 24/04/2025, 08:25.

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Transistor de canal N, 11.1A, 15.7A, 10uA, 0.042 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. DI (T=100°C): 11.1A....
FQPF20N06L
Transistor de canal N, 11.1A, 15.7A, 10uA, 0.042 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. DI (T=100°C): 11.1A. DI (T=25°C): 15.7A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.042 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 480pF. Costo): 175pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 54 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 62.8A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 17 nC, Crss bajo 5,6 pF. Protección G-S: NINCS
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Transistor de canal N, 11.1A, 15.7A, 10uA, 0.042 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. DI (T=100°C): 11.1A. DI (T=25°C): 15.7A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.042 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 480pF. Costo): 175pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 54 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 62.8A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 17 nC, Crss bajo 5,6 pF. Protección G-S: NINCS
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