Transistor de canal N, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V - STP20NM60FD

Transistor de canal N, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V - STP20NM60FD. Transistor de canal N, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. DI (T=100°C): 12.6A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.26 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1300pF. Costo): 500pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 240 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Baja capacitancia de puerta. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 80A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P20NM60FD. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 192W. RoHS: sí. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 8 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 04/07/2025, 08:25.