Transistor de canal N STP3NA60, 1.8A, 2.9A, 2.9A, 4 Ohms, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 1.8A. DI (T=25°C): 2.9A. Idss (máx.): 2.9A. Resistencia en encendido Rds activado: 4 Ohms. Vivienda: TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. Cantidad por caja: 1. Función: transistor MOSFET. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Tecnología: V-MOS. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:24