Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.35€ | 1.63€ |
5 - 9 | 1.28€ | 1.55€ |
10 - 24 | 1.22€ | 1.48€ |
25 - 49 | 1.15€ | 1.39€ |
50 - 53 | 1.12€ | 1.36€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.35€ | 1.63€ |
5 - 9 | 1.28€ | 1.55€ |
10 - 24 | 1.22€ | 1.48€ |
25 - 49 | 1.15€ | 1.39€ |
50 - 53 | 1.12€ | 1.36€ |
Transistor de canal N, 2.1A, 3.3A, 50uA, 3.3 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - STP3NB60. Transistor de canal N, 2.1A, 3.3A, 50uA, 3.3 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 2.1A. DI (T=25°C): 3.3A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.3 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 400pF. Costo): 57pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Identificación (diablillo): 13.2A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P3NB60. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 11 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: PowerMESH™ MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 24/04/2025, 08:25.
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