Transistor de canal N STP3NB80, 1.6A, 2.6A, 50uA, 4.6 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 1.6A. DI (T=25°C): 2.6A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 4.6 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 440pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 60pF. Diodo Trr (Mín.): 650 ns. Función: transistor MOSFET. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 10.4A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: PowerMESH™ MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:24