Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 39A, 55A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220, 60V - STP55NE06

Transistor de canal N, 39A, 55A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220, 60V - STP55NE06
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Transistor de canal N, 39A, 55A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220, 60V - STP55NE06. Transistor de canal N, 39A, 55A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. DI (T=100°C): 39A. DI (T=25°C): 55A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.019 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 3050pF. Costo): 380pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 220A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P55NE06. Número de terminales: 3. Temperatura: +175°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 130W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: transistor MOSFET de potencia. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 14/05/2025, 01:25.

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