Transistor de canal N STP55NE06, 39A, 55A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. DI (T=100°C): 39A. DI (T=25°C): 55A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.019 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 3050pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 380pF. Diodo Trr (Mín.): 110 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 220A. Marcado en la caja: P55NE06. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 130W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: transistor MOSFET de potencia. Temperatura: +175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:24