Transistor de canal N, 0.015 Ohms, TO-220, TO-220, 60V, 60V, TO220 - STP55NF06

Transistor de canal N, 0.015 Ohms, TO-220, TO-220, 60V, 60V, TO220 - STP55NF06. Transistor de canal N, 0.015 Ohms, TO-220, TO-220, 60V, 60V, TO220. Resistencia en encendido Rds activado: 0.015 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 60V. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 60V. Vivienda: TO220. Pd (disipación de potencia, máx.): 110W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 36ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Serie: 1300pF. Polaridad: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 50A. Voltaje de accionamiento: 10V. Rds on (max) @ id, VGS: 75 ns. VGS (th) (max) @ id: MOSFET. QG (Total Gate Charge, max @ vgs): Conmutación de alta velocidad. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Temperatura de funcionamiento: 35A. Tipo de montaje: THT. Características: 1uA. Información: P55NF06. MSL: 3. Producto original del fabricante Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 04/07/2025, 10:25.