Transistor de canal N, TO-220, TO-220, 600V, 600V, TO220 - STP6NK60Z

Transistor de canal N, TO-220, TO-220, 600V, 600V, TO220 - STP6NK60Z. Transistor de canal N, TO-220, TO-220, 600V, 600V, TO220. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 600V. Vivienda: TO220. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 47 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Serie: SuperMESH. Polaridad: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 4A. Voltaje de accionamiento: 10V. Rds on (max) @ id, VGS: 2 Ohms / 2.8A / 10V. VGS (th) (max) @ id: MOSFET. QG (Total Gate Charge, max @ vgs): Transistor MOSFET de potencia protegido por Zener. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Temperatura de funcionamiento: 6A. Tipo de montaje: THT. Características: P6NK60Z. Información: 104W. MSL: 1 Ohm. Producto original del fabricante Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 04/07/2025, 09:25.