Transistor de canal N STP6NK60ZFP, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 3.8A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1 Ohm. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 905pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 115pF. Diodo Trr (Mín.): 445 ns. Función: Transistor MOSFET de potencia protegido por Zener. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 24A. Marcado en la caja: P6NK60ZFP. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 32W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: sí. Td(apagado): 47 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:58