transistor de canal N 2SK3562, 6A, 6A, 100uA, 6A, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

transistor de canal N 2SK3562, 6A, 6A, 100uA, 6A, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.26€
5-24
1.95€
25-49
1.71€
50-99
1.56€
100+
1.33€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 78

Transistor de canal N 2SK3562, 6A, 6A, 100uA, 6A, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 6A. Idss: 100uA. Idss (máx.): 6A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.9 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1050pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 110pF. Diodo Trr (Mín.): 1000 ns. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Identificación (diablillo): 24A. Marcado en la caja: K3562. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 130 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: Field Effect (TT-MOSVI). Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:31

Documentación técnica (PDF)
2SK3562
27 parámetros
DI (T=100°C)
6A
DI (T=25°C)
6A
Idss
100uA
Idss (máx.)
6A
Resistencia en encendido Rds activado
0.9 Ohms
Vivienda
TO-220FP
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220F
Voltaje Vds(máx.)
600V
C(pulg)
1050pF
Cantidad por caja
1
Costo)
110pF
Diodo Trr (Mín.)
1000 ns
Función
Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)
Identificación (diablillo)
24A
Marcado en la caja
K3562
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
40W
Protección G-S
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Td(apagado)
130 ns
Td(encendido)
40 ns
Tecnología
Field Effect (TT-MOSVI)
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Producto original del fabricante
Toshiba

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