Transistor de canal N TK6A60D, 6A, 10uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1 Ohm. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 800pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 100pF. Diodo Trr (Mín.): 1200 ns. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Identificación (diablillo): 24A. Marcado en la caja: K6A60D. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 60 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: Field Effect (TT-MOSVI). Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:08