Transistor de canal N, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220, TO-220, 900V - STP6NK90Z

Transistor de canal N, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220, TO-220, 900V - STP6NK90Z. Transistor de canal N, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. DI (T=100°C): 3.65A. DI (T=25°C): 5.8A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.56 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 1350pF. Costo): 130pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 840 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de potencia protegido por Zener. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 23.2A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P6NK90Z. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 14/05/2025, 02:25.